Wat is een FET Latch -Up

? FET is een afkorting voor Field Effect Transistor , een type van elektronisch apparaat dat de stroom van elektrische stroom door een circuit bestuurt . Het eenvoudigste type FET is een spanningsgestuurde weerstand , waarbij het ​​weerstandselement een stuk silicium . De term FET latch - up verwijst naar een destructieve hoge stand die kan worden geactiveerd door bepaalde elektrische omstandigheden die op de onderdelen van de FET . FET klink - up voorkomt meestal normale circuit controle. Halfgeleider

FET bestaat uit twee soorten halfgeleiderkristal - materialen die elektriciteit geleiden , maar zeer slecht - bekend als n - type en p-type materiaal . Twee terminals , of elektroden , bekend als de afvoer en de bron zijn verbonden met de n -type materiaal , terwijl een derde terminal , bekend als de poort is verbonden met het p -type materiaal . De stroom tussen de bron en drain wordt geregeld door een elektrisch veld door een spanning tussen de bron en de poort .
Oorzaak

FET opgrendeling voordoet toen vier afwisselende n - type en p - type gebieden dicht bij elkaar worden gebracht , zodat zij effectief vormen twee bipolaire transistors - transistors die zowel positieve als negatieve ladingsdragers gebruiken - bekend als NPN of PNP -transistoren . De elektrische stroom toegepast op de basis van de eerste transistor versterkt en doorgegeven aan de tweede transistor . Indien de uitgangsstroom van beide transistoren groter is dan de ingangsstroom - of met andere woorden , de huidige " gain" groter is dan 1 - de stroom door beide verhoogt

Effecten

FET klink - up leidt tot overmatige dissipatie van de macht en de gebrekkige logica in het getroffen poort of poorten . Overmatig vermogensverlies genereert veel warmte , waardoor de FET helemaal kan vernietigen in extreme gevallen . FET klink - up is daarom uiterst onwenselijk en de preventie ervan is uitgegroeid tot een grote ontwerp- probleem , met name in de moderne transistors . Moderne transistors zijn gekrompen tot een bestandsgrootte zo klein als 59 micro- inch, of 59/1000000 van een inch , in een poging om circuit dichtheid te verhogen en de algehele prestaties te verbeteren .
Preventie

een FET is wat bekend staat als een meerderheid drager apparaat . Met andere woorden , stroom door het soort meerderheid drager - hetzij negatief geladen deeltjes die elektronen of positief geladen dragers , genaamd gaten - afhankelijk van de precieze vormgeving van de FET . FET latch - up kan worden vermeden door het scheiden van n - type en p-type materialen met de FET structuur . Scheiding wordt vaak bereikt door etsen een diepe, smalle geul gevuld met isolatiemateriaal tussen de n-type en p-type materiaal .